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Si5980DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
3.0
V GS = 10 V thru 6 V
2.5
25 °C, unless otherwise noted
1.0
0. 8
2.0
0.6
1.5
1.0
V GS = 5 V
0.4
T C = 25 °C
0.5
0.2
T C = 125 °C
0.0
V GS = 4 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
2
3
4
5
6
0.60
0.57
0.54
0.51
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 10 V
100
8 0
60
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.4 8
0.45
20
0
C rss
C oss
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 1.3 A
V DS = 50 V
V DS = 25 V
2.0
1.7
I D = 0.4 A
V GS = 10 V
6
V DS = 75 V
1.4
4
1.1
2
0
0. 8
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65576
S10-0033-Rev. A, 11-Jan-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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